Sekaligus menawarkan saiz storan terbina dalam untuk telefon pintar sehingga 1TB.
Samsung baru-baru ini telah pun perkenalkan storan terbina dalam terbaru khusus untuk peranti mudah alih.
Samsung eUFS atau Universal Flash Storage 2.1 merupakan storan V-NAND generasi ke 5 yang akan meningkatkan kapasiti saiz storan terbina dalam sehingga 20 kali lebih banyak daripada saiz storan yang sedia ada.
Malah Samsung juga menyatakan bahawa uUFS adalah 10 kali lebih pantas daripada kad SD mikro bagi prestasi pantas pemindahan data ataupun untuk penggunaan intensif aplikasi.
Cip storan eUFS ini masih dalam bentuk serta saiz yang sama (11.5mm x 13.0mm) tetapi dengan teknologi terbaru storan Samsung ini telah menggandakan kemampuan kapasiti serta prestasi storan eUFS sebelum ini yang pertama kali diperkenalkan pada 4 tahun yang lalu.
Sangat pantas
Menurut Samsung lagi, kelajuan memunggah data di dalam peranti yang dilengkapi dengan storan eUFS ini mampu mencapai kelajuan sehingga 1000MBps.
Sebagai contoh, pengguna dapat memunggah video berdefinisi penuh bersaiz 5GB hanya dalam masa 5 saat sahaja antara peranti dengan storan SSD NVMe.
Di bawah adalah carta rujukan perbandingan prestasi memori storan terbina dalam yang disediakan oleh pihak Samsung:-
| Memory | Sequential Read Speed | Sequential Write Speed | Random Read Speed | Random Write Speed |
| Samsung 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) | 1000 MB/s | 260 MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) | 860 MB/s | 255 MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Samsung eUFS 2.1 for automotive (Sept. 2017) | 850 MB/s | 150 MB/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| Samsung 256GB UFS Card (July 2016) | 530 MB/s | 170 MB/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| Samsung 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) | 850 MB/s | 260 MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| Samsung 128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015) | 350 MB/s | 150 MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250 MB/s | 125 MB/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250 MB/s | 90 MB/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140 MB/s | 50 MB/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |
Samsung dalam perancangan memperluaskan pengeluaran generasi kelima storan 512Gb V-NAND di kilang pengeluaran Pyeongtaek, Korea bagi sepanjang separuh pertama tahun 2019.
Mereka menjangkakan permintaan yang tinggi untuk storan eUFS 1TB dari pengeluar peranti pintar mudah alih di seluruh dunia.
